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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
比较
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
总分
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
总分
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
43
左右 -48% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.1
14.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.9
9.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
29
读取速度,GB/s
14.9
18.1
写入速度,GB/s
9.6
14.9
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2506
3673
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
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