RAM-Vergleich Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB

Gesamtnote

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

4 10.5

Durchschnittswert bei den Tests

Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

35 59

Rund um -69% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

8.1 2,123.3

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

17000 6400

Rund um 2.66 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit

5-5-5-15 / 800 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

731 1998

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns