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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
比較する
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
総合得点
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
総合得点
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
4
10.5
テスト平均値
考慮すべき理由
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
35
59
周辺 -69% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
8.1
2,123.3
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
6400
周辺 2.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
59
35
読み出し速度、GB/s
4,833.8
10.5
書き込み速度、GB/秒
2,123.3
8.1
メモリ帯域幅、mbps
6400
17000
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
731
1998
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