Comparaison de la RAM Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB

Note globale

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

35 59

Autour de -69% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

8.1 2,123.3

Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps

17000 6400

Autour de 2.66 bande passante supérieure

Liste complète des spécifications techniques

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge

5-5-5-15 / 800 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

731 1998

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns