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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Inmos + 256MB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Inmos + 256MB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gesamtnote
Inmos + 256MB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
11.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Inmos + 256MB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
59
Rund um -97% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.1
2,123.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
16800
6400
Rund um 2.63 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Inmos + 256MB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
59
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,833.8
11.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,123.3
9.1
Speicherbandbreite, mbps
6400
16800
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
no data
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
731
2318
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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