Porównanie pamięci RAM Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Inmos + 256MB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Inmos + 256MB

Wynik ogólny

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Powody do rozważenia
Inmos + 256MB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

30 59

Wokół strony -97% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s

9.1 2,123.3

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

16800 6400

Wokół strony 2.63 większa szerokość pasma

Pełna lista specyfikacji technicznych

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Inmos + 256MB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara

5-5-5-15 / 800 MHz no data
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

731 2318

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns