RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Inmos + 256MB
Сравнить
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB против Inmos + 256MB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Средняя оценка
Inmos + 256MB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
11.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Inmos + 256MB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
59
Около -97% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.1
2,123.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
16800
6400
Около 2.63 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Inmos + 256MB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
30
Скорость чтения, Гб/сек
4,833.8
11.5
Скорость записи, Гб/сек
2,123.3
9.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
16800
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
no data
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
731
2318
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Inmos + 256MB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kllisre 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Team Group Inc. 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Inmos + 256MB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
‹
›
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link