RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Inmos + 256MB
Сравнить
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB против Inmos + 256MB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Средняя оценка
Inmos + 256MB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
11.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Inmos + 256MB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
59
Около -97% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.1
2,123.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
16800
6400
Около 2.63 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Inmos + 256MB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
30
Скорость чтения, Гб/сек
4,833.8
11.5
Скорость записи, Гб/сек
2,123.3
9.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
16800
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
no data
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
731
2318
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Inmos + 256MB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Inmos + 256MB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kllisre 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Team Group Inc. 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kllisre 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
‹
›
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link