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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Inmos + 256MB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Inmos + 256MB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
Inmos + 256MB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
11.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Inmos + 256MB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
59
左右 -97% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.1
2,123.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
16800
6400
左右 2.63 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Inmos + 256MB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
30
读取速度,GB/s
4,833.8
11.5
写入速度,GB/s
2,123.3
9.1
内存带宽,mbps
6400
16800
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
no data
排名PassMark (越多越好)
731
2318
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB RAM的比较
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Inmos + 256MB RAM的比较
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9905630-018.A00G 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
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Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
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