RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gesamtnote
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
16.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
46
Rund um -59% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.8
1,519.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
3200
Rund um 8 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,909.8
16.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,519.2
12.8
Speicherbandbreite, mbps
3200
25600
Other
Beschreibung
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
3-3-3-12 / 400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
241
3239
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905598-026.A00G 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link