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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gesamtnote
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
46
Rund um -48% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
21.4
2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.2
1,519.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
3200
Rund um 6.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,909.8
21.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,519.2
16.2
Speicherbandbreite, mbps
3200
21300
Other
Beschreibung
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
241
3809
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAM-Vergleiche
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
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Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
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