RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
46
Около -48% меньшая задержка
Выше скорость чтения
21.4
2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.2
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
3200
Около 6.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
31
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
21.4
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
16.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
21300
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
3809
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CML8GX3M1A1600C9 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1600C7 8GB
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link