RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Gesamtnote
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
60
76
Rund um 21% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
14.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.7
2,168.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
60
76
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,595.2
14.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,168.2
7.7
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
941
1718
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link