RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
60
76
Wokół strony 21% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.7
2,168.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
76
Prędkość odczytu, GB/s
4,595.2
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,168.2
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
941
1718
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link