RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Gesamtnote
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
17.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,201.1
15.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
74
Rund um -164% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
74
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,178.4
17.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,201.1
15.4
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
508
3628
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
InnoDisk Corporation 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link