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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
Comparar
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Pontuação geral
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
17.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,201.1
15.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
74
Por volta de -164% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
74
28
Velocidade de leitura, GB/s
4,178.4
17.3
Velocidade de escrita, GB/s
2,201.1
15.4
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
508
3628
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Comparações de RAM
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Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB Comparações de RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
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Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
Kingston 9965525-058.A00LF 8GB
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Kingston K1N7HK-ELC 2GB
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Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
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