RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,201.1
15.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
74
Wokół strony -164% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
28
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
15.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
3628
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link