RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
Comparez
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
Note globale
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Note globale
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
17.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,201.1
15.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
74
Autour de -164% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
74
28
Vitesse de lecture, GB/s
4,178.4
17.3
Vitesse d'écriture, GB/s
2,201.1
15.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
508
3628
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston 9905630-048.A00G 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link