RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
20.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,168.2
17.0
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
60
Rund um -150% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
60
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,595.2
20.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,168.2
17.0
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
941
4064
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston KHX2400C15S4/16G 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9905702-027.A00G 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7CFR4A
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link