RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
20.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,168.2
17.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
60
Wokół strony -150% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
24
Prędkość odczytu, GB/s
4,595.2
20.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,168.2
17.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
941
4064
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link