RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB против G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
20.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,168.2
17.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
60
Около -150% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
60
24
Скорость чтения, Гб/сек
4,595.2
20.5
Скорость записи, Гб/сек
2,168.2
17.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
941
4064
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link