RAM-Vergleich Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB

Gesamtnote

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

60 85

Rund um 29% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

4 11.3

Durchschnittswert bei den Tests

Gründe für die Berücksichtigung
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB

Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

6.0 2,168.2

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

21300 5300

Rund um 4.02 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit

5-5-5-15 / 667 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

941 1118

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns