RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Сравнить
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB против InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
60
85
Около 29% меньшая задержка
Выше скорость чтения
4
11.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
6.0
2,168.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
60
85
Скорость чтения, Гб/сек
4,595.2
11.3
Скорость записи, Гб/сек
2,168.2
6.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
941
1118
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905665-020.A00G 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link