Comparaison de la RAM Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB

Note globale

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

60 85

Autour de 29% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s

4 11.3

Valeur moyenne dans les tests

Raisons de considérer
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB

Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

6.0 2,168.2

Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps

21300 5300

Autour de 4.02 bande passante supérieure

Liste complète des spécifications techniques

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge

5-5-5-15 / 667 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

941 1118

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns