RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gesamtnote
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
21.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
17.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
77
Rund um -185% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
77
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,405.2
21.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
17.2
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
763
3788
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link