RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
21.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
17.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
77
Wokół strony -185% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
27
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
21.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
17.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3788
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link