RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
21.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
17.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
77
Wokół strony -185% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
27
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
21.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
17.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3788
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8XR 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link