RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
20.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
16.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
77
Rund um -157% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
77
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,405.2
20.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
16.4
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
763
3703
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kingston KHX2133C15S4/8G 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link