RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Confronto
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
20.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,622.0
16.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
77
Intorno -157% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
5300
Intorno 4.02 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
30
Velocità di lettura, GB/s
3,405.2
20.8
Velocità di scrittura, GB/s
2,622.0
16.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
21300
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
763
3703
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link