RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
17.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
14.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
77
Rund um -141% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
77
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,405.2
17.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
14.5
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
763
3385
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link