RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,622.0
14.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
77
Около -141% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
32
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
17.4
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
14.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
3385
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link