RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
17.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
77
Rund um -235% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
77
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,405.2
17.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
12.3
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
763
3087
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
AMD R748G2133U2S 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link