RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
16.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
77
Rund um -120% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
77
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,405.2
16.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
12.3
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
763
2933
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link