RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
20.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
13.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
77
Rund um -166% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
77
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,405.2
20.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
13.1
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
763
3241
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link