RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
20.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,622.0
13.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
77
Около -166% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
29
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
20.2
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
3241
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KVR800D2E5-2G 2GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link