RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
20.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
16.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
77
Rund um -157% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
77
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,405.2
20.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
16.9
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
763
3844
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link