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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
20.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,622.0
16.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
77
左右 -157% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
30
读取速度,GB/s
3,405.2
20.2
写入速度,GB/s
2,622.0
16.9
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
3844
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
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Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
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