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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
比较
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
总分
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
总分
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
35
47
左右 -34% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.4
10.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.2
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
35
读取速度,GB/s
10.4
15.4
写入速度,GB/s
7.8
11.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2169
2672
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM的比较
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
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