RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gesamtnote
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
15.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
77
Rund um -250% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
2,622.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
77
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,405.2
15.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
7.8
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
763
2493
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Corsair CMZ8GX3M1A1600C10 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link