Comparação RAM Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB

Pontuação geral

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Razões a considerar
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

22 77

Por volta de -250% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

7.8 2,622.0

Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps

17000 5300

Por volta de 3.21 maior largura de banda

Lista completa de especificações técnicas

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB

Características principais

Other

Descrição

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio

5-5-5-15 / 667 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

763 2493

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns