RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gesamtnote
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
13.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
12.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
77
Rund um -126% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
77
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,405.2
13.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
12.9
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
763
2608
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905701-143.A00G 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link