RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
13.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
12.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
77
Wokół strony -126% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
34
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
13.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2608
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link