RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gesamtnote
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
17.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
13.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
77
Rund um -157% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
77
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,405.2
17.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
13.6
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
763
3308
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
G Skill Intl F3-1600C11-8GIS 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link