RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
13.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
77
Wokół strony -157% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
30
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3308
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link