RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB vs Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Gesamtnote
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Gesamtnote
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
37
Rund um 32% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.4
13
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.1
7.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
19200
Rund um 1.11 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR5
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.4
13.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.1
7.9
Speicherbandbreite, mbps
19200
21300
Other
Beschreibung
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
no data / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3419
2512
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB RAM-Vergleiche
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Kingston 9905702-027.A00G 8GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Mushkin 991586 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link