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Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB vs Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Gesamtnote
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Gesamtnote
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
37
Rund um 32% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.4
13
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.1
7.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
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Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
19200
Rund um 1.11 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR5
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.4
13.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.1
7.9
Speicherbandbreite, mbps
19200
21300
Other
Beschreibung
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
no data / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3419
2512
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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