Comparación de la memoria RAM Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB vs Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB vs Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB

Puntuación global

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

25 37

En 32% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s

13.4 13

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

12.1 7.9

Valor medio en las pruebas

Razones a tener en cuenta
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB

Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

21300 19200

En 1.11 mayor ancho de banda

Lista completa de especificaciones técnicas

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB

Principales características

Other

Descripción

PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj

no data / 2400 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

3419 2512

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns