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Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Comparar
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB vs Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Pontuação geral
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Pontuação geral
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
37
Por volta de 32% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.4
13
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.1
7.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
21300
19200
Por volta de 1.11 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR5
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
37
Velocidade de leitura, GB/s
13.4
13.0
Velocidade de escrita, GB/s
12.1
7.9
Largura de banda de memória, mbps
19200
21300
Other
Descrição
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
no data / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
3419
2512
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB Comparações de RAM
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB Comparações de RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
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