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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Gesamtnote
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Gesamtnote
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
36
Rund um -50% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
15
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.1
10.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Rund um 1.13 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
36
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.0
15.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.3
12.1
Speicherbandbreite, mbps
17000
19200
Other
Beschreibung
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
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