RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Сравнить
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
36
Около -50% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.6
15
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.1
10.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
36
24
Скорость чтения, Гб/сек
15.0
15.6
Скорость записи, Гб/сек
10.3
12.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
19200
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2569
2852
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMT41GR7AFR8C-RD 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link