Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Средняя оценка
star star star star star
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    24 left arrow 36
    Около -50% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    15.6 left arrow 15
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    12.1 left arrow 10.3
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    19200 left arrow 17000
    Около 1.13 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR4 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    36 left arrow 24
  • Скорость чтения, Гб/сек
    15.0 left arrow 15.6
  • Скорость записи, Гб/сек
    10.3 left arrow 12.1
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    17000 left arrow 19200
Other
  • Описание
    PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Тайминги / частота
    14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2569 left arrow 2852
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения