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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
総合得点
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
総合得点
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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考慮すべき理由
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
24
36
周辺 -50% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
15.6
15
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
12.1
10.3
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
17000
周辺 1.13 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
36
24
読み出し速度、GB/s
15.0
15.6
書き込み速度、GB/秒
10.3
12.1
メモリ帯域幅、mbps
17000
19200
Other
商品説明
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2569
2852
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