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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

総合得点
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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

総合得点
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB 考慮すべき理由
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB 考慮すべき理由
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    24 left arrow 36
    周辺 -50% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.6 left arrow 15
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.1 left arrow 10.3
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 17000
    周辺 1.13 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    36 left arrow 24
  • 読み出し速度、GB/s
    15.0 left arrow 15.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    10.3 left arrow 12.1
  • メモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2569 left arrow 2852

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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB RAMの比較

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