RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Gesamtnote
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Gesamtnote
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
33
Rund um 15% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.4
14.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.5
10.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
23400
21300
Rund um 1.1% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.4
14.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.5
10.2
Speicherbandbreite, mbps
23400
21300
Other
Beschreibung
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3419
2764
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link