Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB

Gesamtnote
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Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB

Gesamtnote
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Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB

Unterschiede

Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    28 left arrow 33
    Rund um 15% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    17.4 left arrow 14.7
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    14.5 left arrow 10.2
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    23400 left arrow 21300
    Rund um 1.1% höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    28 left arrow 33
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    17.4 left arrow 14.7
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    14.5 left arrow 10.2
  • Speicherbandbreite, mbps
    23400 left arrow 21300
Other
  • Beschreibung
    PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    3419 left arrow 2764
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