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Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB

総合得点
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Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB

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Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB 考慮すべき理由
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    28 left arrow 33
    周辺 15% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    17.4 left arrow 14.7
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    14.5 left arrow 10.2
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    23400 left arrow 21300
    周辺 1.1% 高帯域
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB 考慮すべき理由
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
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仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    28 left arrow 33
  • 読み出し速度、GB/s
    17.4 left arrow 14.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    14.5 left arrow 10.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    23400 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
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